作者:杨定明; 王擎龙; 吉红新; 谢礼梅; 胡文远; 吴月浩 期刊:《工程科学与技术》 2012年第01期
采用柠檬酸溶胶-凝胶法合成了γ-LiAlO2:Tb3+绿色荧光粉,研究了材料的激发和发射光谱。γ-LiAlO2:Tb3+材料呈多峰发射,发射峰位于489、542、584和620 nm,分别对应于Tb3+的5D4→7FJ,J=6,5,4,3跃迁发射,主峰位于542 nm。监测542 nm发射峰,荧光体的最大激发峰位于238 nm,属于宽带激发。研究了Tb3+掺杂浓度及电荷补偿剂Li+对γ-LiAlO2:Tb3+材料发射强度的影响。结果表明:调节激活剂浓度、添加电荷补偿剂(Li+)均可以在很大程...
作者:任杰; 温菁 期刊:《科学技术创新》 2012年第05期
本文提出了一种具有电荷补偿层的SiCGe/SiC的光控晶体管,主要利用SiCGe与SiC构成异质结来克服SiC材料对大部分可见光和全部红外光的不敏感性。结构上,在传统的npn晶体管底部加了一层P型电荷补偿层,在横向和纵向电场的相互作用下,来改善器件的性能。
作者:杨国辉; 陈凯; 王小军; 梁利芳; 蒙丽丽; 张丽霞 期刊:《发光学报》 2019年第06期
利用高温固相法制备NaMg4-xCax(VO4)3∶0.01Eu3+(x=0~2)、NaMg2.1Ca1.9-y(VO4)3∶yEu3+(y=0~0.19)、NaMg2.1Ca1.9-y(VO4)3∶yEu3+,yX-(X=Cl,F)和NaMg2.1Ca1.9-2y(VO4)3∶yEu3+,yM+(M=Li,Na,K)系列荧光粉,采用X射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜和荧光分光光度计对样品进行了结构和性能表征。探讨基质结构变化和Li+、Na+、K+、F-、Cl-等阴阳离子的电荷补偿作用对VO■和Eu3+发光性能的影响以及能量传递机理。研究表明立方相NaMg2Ca2(VO...
作者:李芸华; 胡胜龙 期刊:《信息记录材料》 2018年第11期
研究用简单溶胶-凝胶法制备的Li和Co掺杂NiO(简称LCNO)陶瓷的介电性能。Co的浓度对LCNO陶瓷的微观结构和介电性能有很大的影响。随着Co浓度的增加,陶瓷的晶粒尺寸由5.6μm增大到7.2μm。通过复阻抗分析,样品呈现出电不均匀的结构,这是导致巨大介电常数的原因。讨论了介电弛豫和导电活化能与电荷补偿机制的关系。
作者:李月; 吕树臣 期刊:《哈尔滨师范大学自然科学学报》 2019年第01期
采用共沉淀法制备了无电荷补偿和有电荷补偿SrCaMoO4:Eu^3+/Eu^3+,Sm^3+红色荧光粉,研究了样品的晶体结构和发光性质.结果表明,样品具有白钨矿结构,属于四方晶系,电荷补偿明显增加了红光发射,在Eu^3+,Sm^3+共掺样品中,发现红光的发射也明显增强且存在从Sm^3+到Eu^3+的能量传递现象.在有电荷补偿的样品中,观测到Eu^3+的最佳掺杂浓度为20%.
采用简单的固相反应法制备了Ca Sn(1-x)LixO3:Eu^3+(x=0,2,5,10)系列荧光粉.X射线衍射(XRD)分析证实Li^+的电荷补偿有助于提升Eu^3+在Ca Sn O3晶格中的溶解能力.当Li^+掺杂浓度为10%时,8%Eu^3+完全掺入Ca Sn O3晶格,结果显著提升Eu^3+的红色发光.基于校对的发射谱,讨论了这种荧光增强的原理.此外,在394 nm光波长激发下,最佳样品Ca Sn(0.9)Li(0.1)O3:8%Eu^3+显示了良好的热稳定性,表明该材料可用于大功率白光LED...
作者:Chih-Fang; Huang 期刊:《电力电子技术》 2017年第08期
作者:杨秋红; 曾智江; 徐军; 苏良碧 期刊:《物理学报》 2006年第06期
采用传统无压烧结工艺制备Mg,Ti共掺透明氧化铝陶瓷,测定了其吸收光谱、荧光光谱和激发光谱,结果表明,由于Mg^2+的电荷补偿,当Ti掺入量较小时,Ti主要以Ti^4+形式存在,(Mg,Ti):Al2O3透明陶瓷只在250nm的紫外波段有吸收峰,为O^2-→Ti^4+的电荷转移跃迁产生的吸收,并产生Ti^4+离子在280-290nm和410-420nm的荧光发射峰;当Ti掺入量较大时,氧化铝透明陶瓷除了存在Ti^4+的吸收峰,还表现出Ti^3+离子490nm的特征吸收...
作者:杨英; 陈永杰; 耿秀娟; 肖林久; 谢颖; 闵广全 期刊:《化工新型材料》 2014年第04期
采用高温固相法合成Ca3B206:Eu3+,A(A=Li+,Na+,K+)系列红色荧光粉。以395nm的近紫外光激发样品,Ca3B206:Eu3+,A(A=Li+,Na+,K+)荧光粉发红光,以614nm附近的^5D0→^7F2电偶极跃迁发光最强。材料能非常好地吸收395nm波长的光,与近紫外光LED芯片匹配良好。Ca3B22O6Eu^3+红色荧光粉合成最佳条件为Eu什掺杂浓度为4%,Lil。的掺杂浓度为8%,在900℃灼烧2h。从而简化了合成工艺,优化了合成备件。
作者:孙永欢; 乐凌; 郭俊博; 卢志红; 熊锐 期刊:《武汉大学学报·理学版》 2016年第03期
为了研究过渡金属电荷补偿共掺TiO_2中载流子的分离与复合问题,本文采用溶胶-凝胶法制备了Mo单掺和(Mo+Co)共掺TiO_2,测量了样品的光催化性能.实验结果表明,Mo单掺TiO_2比(Mo+Co)共掺TiO_2有较低的载流子复合率以及更好的光催化性能.在不同比例(Mo+Co)共掺样品中,电荷完全补偿共掺样品的载流子复合率最高,而可见光催化效果却是所有共掺样品中最好的,其原因可能是它对可见光的吸收相对较高.讨论了钼钴电荷补偿共掺对载流子...
作者:李晨阳 吴春芳 魏杰 期刊:《兰州大学学报·社会科学版》 2011年第03期
采用引入阳离子缺陷解决非同价阳离子替换的BiFeO3系统中的电荷补偿问题,成功制备了纯相的Zr掺杂BiFeO3陶瓷,结构分析表明:10%Zr掺杂的BiFeO3与母相BiFeO3具有相同的铁电居里温度,说明Zr掺杂并没有改变BiFeO3的铁电属性;同时,Zr掺杂破坏了BiFeO3的螺旋磁结构,从而实现了弱的铁磁性.
作者:康逢文 胡义华 王银海 吴浩怡 牟中飞 居桂方 符楚君 期刊:《光谱学与光谱分析》 2011年第09期
采用高温固相法制备系列红色荧光粉Na:Ca1-x-26-zBiyMoO4:Eux+y^3+,(y,z=0,x=0.24,0.26,0.30,0.34,0.38;x=0.30,y—O.01,0.02,0.03,0.04,0.05,0.06,0.07,z=0;x=0.30,y=0.04,z=0.38)。用x射线粉末衍射(XRD)法测试了所制样品晶相结构。采用荧光光谱仪对样品的发光性能进行了表征,结果表明:当Eu抖单掺杂量浓度x=0.30时,荧光粉(Ca0.70MoO4:Eu0.30^3+)的发光强度最强;当Eu3+-Bi3...
作者:杨志平 周东站 韩月 马淑媛 宋延春 于红伟 期刊:《硅酸盐学报》 2011年第08期
采用高温固相法合成BaMg2–x(PO4)2:xEu^3+橙红色光致荧光粉。研究了激活剂Eu^3+掺量及电荷补偿剂对其发光性质的影响。X射线衍射显示样品为纯相BaMg2(PO4)2晶体结构。光致光谱表明,该样品适于UV–LED(ultraviolet–light emitting diode)管芯(350~410 nm)激发,主发射为595 nm(^5D0→^7F1)、614 nm(^5D0→^7F2)和700 nm(^5D0→^7F4)。研究结果表明,随着掺Eu^3+量的增大,可以促进5D0→7F1跃迁而相对抑制5D0→7F2...
作者:杨志平 于红伟 马淑媛 马欣 刘玉峰 王凤和 期刊:《功能材料与器件学报》 2011年第01期
采用高温固相法制备了BaZn2(PO4)2:Eu^3+红色荧光材料。测量了BaZn2(PO4)2:Eu^3+材料的激发与发射光谱,激发峰位于360-400nm之间,发射光谱主峰位于595nm处。研究了BaZn2(PO4)2:Eu^3+材料在595nm的主发射峰强度随Eu^3+浓度的变化,发射峰强度先随Eu^3+浓度的增加而增大;当Eu^3+的浓度为3%时,峰值强度最大;而后峰值强度随Eu^3+浓度的增大而减小。研究了Eu^3+浓度保持不变时,不同电荷补偿剂对BaZn2(PO4)2:Eu^3+发...
作者:李盼来 庞立斌 高少杰 王志军 杨志平 熊志军 期刊:《硅酸盐通报》 2008年第01期
采用溶胶-凝胶法制备了Sr2SiO4∶Bi^3+发光材料。X射线衍射谱显示其为纯相的Sr2SiO4晶体。测量了Sr2SiO4∶Bi^3+材料的激发与发射光谱,结果显示,材料的发射光谱为一单峰宽带,主峰位于441nm处;监测441nm发射峰,所得材料的激发光谱为一主峰位于376nm处的单峰宽带。研究了Bi^3+掺杂浓度对Sr2SiO4∶Bi^3+材料发射光谱的影响,结果显示,随Bi^3+掺杂浓度的增大,Sr2SiO4∶Bi^3+材料的发射光谱峰值强度表现出先增大后减小的趋势,在Bi^...
作者:杨志平 宋延春 韩月 赵青 周东站 潘飞 期刊:《中国稀土学报》 2012年第01期
采用高温固相法成功制备了KNaCa2(PO4)2:Tb3+绿色荧光粉,并研究了其发光性质。测量了其激发和发射光谱,样品发射峰位于418,440,492,545,586,622 nm,分别对应Tb3+的5 D3→7 F5,5 D3→7 F4,5 D4→7 F6,5 D4→7 F5,5 D4→7 F4,5 D4→7 F3能级跃迁,主发射峰位于545 nm。主激发峰位于350~390 nm之间,属于4f→4f电子跃迁吸收,与InGaN管芯匹配。确定了在KNaCa2(PO4)2基质中Tb3+浓度对其发光强度的影响及其自身浓度猝灭机制。研究...
作者:彭杰 曾人杰 李郎楷 期刊:《发光学报》 2012年第09期
采用非均相沉淀法制备了Sr3-xSi1-xAlxO5∶xCe3+荧光粉,并与高温固相法制备的该荧光粉进行了对比。以XRD、SEM和荧光光谱分析来表征所制备的荧光粉。结果表明,非均相沉淀法比高温固相反应法制备的荧光粉相纯度更高,颗粒分布更窄,晶面清晰,团聚程度小,相对发光强度也更高。荧光粉的激发光谱为270~500 nm的双峰宽带,最强激发峰位于417 nm处。发射光谱为450~700 nm的单峰宽带,峰值位于525nm处。电荷补偿剂对荧光粉相对发光强度影响...
作者:杨志平 宋延春 韩月 赵青 潘飞 周东站 期刊:《发光学报》 2012年第06期
采用高温固相法合成了Sr:ZnMoO6:Sm3+新型红色荧光材料,并对其发光特性进行了研究。XRD测量结果表明所制备样品为纯相Sr2ZnMoO6晶体。样品的发射光谱由一系列锐谱组成。分别位于563nm(4G5/2→H5/2)、598nm(4G5/2→H7/2)、607nm(4G5/2—6H7/2)和645nm(4G5/21±H9/2),最强发射为645nm。样品激发光谱由电荷迁移带CT和Sm3+离子的特征激发峰组成,主激发峰位于284nm(CT)和403nm(6H54L13/2)。随着Sm3+浓度的增...
作者:唐盼盼 王颖 期刊:《功能材料与器件学报》 2012年第02期
研究了一种具有OB(Oxide By-passed)结构的SOI LDMOS器件,分析了该器件的耐压机理以及结构特点,并通过SILVACO TCAD软件对该结构进行三维数值仿真。通过仿真验证可知,该结构通过类超结(SJ)电场调制技术获得了与超结器件类似的性能,该结构与SJ LDMOS在相同的尺寸情况下尽管耐压相同,但导通电阻从3.81mΩ.cm2降低到1.96mΩ.cm2,同时克服了SJ LD-MOS器件制造工艺上高深宽比以及电荷浓度难易精确匹配的缺陷。
采用传统高温固相法,以钨酸锶为基质材料,掺杂稀土Eu3+制备了可被紫色光有效激发的红色荧光粉Sr1-2xNaxWO4∶Eu3x+。通过测定与分析样品Sr1-2xNaxWO4∶Eu3x+的激发和发射光谱,发现激发光谱在395nm处吸收值最大,发射光谱的发射主峰位于613nm处,属于Eu3+的5D0→7F2特征跃迁。不同的Eu3+掺杂浓度下样品发光强度不同,当x=0.07时发光强度最佳。电荷补偿剂Na+对样品发光强度的影响很大,主要原因是Na+的加入会影响基质的晶体结构,...