一、项目单位简介实现第三代半导体高性能器件产业化和规模化应用的关键是要获得价格合理的低缺陷密度GaN晶体基片。本项目技术团队所拥有的高技术和低成本优势在国内外是独一无二的,技术领先、工艺成熟,已经具备大规模量产的条件。本项目长远目标是建成世界最大规模的氮化镓衬底生产基地,提供GaN衬底以及集成GaN基光电子器件和微电子器件的晶片等。
作者:徐屹; 杨顾晶 期刊:《科学与信息化》 2018年第25期
本文介绍了应用氮化镓功率管的应用设计,并就时序保护电路部分、脉冲过冲、凹坑及散热问题进行了展开分析。
据辽宁盘锦高新技术产业开发区报道,近日,辽宁百思特达半导体科技有限公司氮化镓项目正式开工建设,这距离该项目10月4日落户盘锦高新区还不足一个月时间。资料显示,该项目总投资15亿元,计划占地440亩,以氮化镓半导体材料为主,相关配套辅助产业为辅,并在盘锦建立新材料闭环产业园,达产后预计可实现销售收入4亿元,税收7000万元。
作者:Samuel; K.Moore 期刊:《科技纵览》 2019年第08期
今年6月,硅谷创业公司Mojo Vision公司公开了其微型LED显示屏样品,最引人注目的是它的尺寸。它不到0.5毫米宽,只比2018年三星公司展示的微型LED电视样机的一个像素稍微大一点点。两家公司都使用了同一种技术的不同版本,这是非常了不起的,超高效和明亮的微米级氮化镓LED屏幕有着巨大的潜力。去年涌现出很多令人印象深刻的样品,如今这些公司都开始努力研发可以批量生产的制造工艺,最快到明年年末,我们就能在一些产品中看到这种显示屏...
苏州市第三代半导体产业发展布局较早,形成了较好的发展态势。本文从多个角度对苏州市第三代半导体产业发展现状进行深入研究,剖析产业存在的优势和不足,并分析了现阶段面临的机遇与挑战。结合国内产业政策和做法,针对性提出下一步发展的对策建议,以推动产业整体实现更高水平发展。
近日,印度和新加坡的研究团队研发出一种高灵敏度的便携式传感器,即使水中铅含量再微弱——仅为0.018 ppb(ppb为十亿分之一)的含量,也能成功检测出来。相关研究报告发表在最新一期《电气与电子工程师协会电子器件通讯》杂志上。科学已证实,被铅离子污染的饮用水,会对人类健康产生严重威胁。鉴于此,印度理工学院焦特布尔分校与新加坡材料研究与工程研究所的研究人员开发了一种新型传感器,其以硅片为基础,在其上生长氮化镓和氮化镓铝...
首先回顾了照明光源的简单历史,然后介绍了发光二极管(LED)发展到大功率白光LED的历史,接着简述了国内外发展现状,主要技术路线及其特点.最后阐述了作者在这方面的研究工作进展状况,对其发展趋势提出了一些看法.
如果发光二极管(简称为LED)不再仅仅用于指示灯或者数字显示器,而是将它们直用到建筑物或街道照明时,氮化镓基半导体就成为大家关注的焦点。氮化镓基LED的主要魅力是它们的效率。从理论上看,向LED注入电子一空穴对所需的能量与它们在复合时发射光子的能量几乎相当,但实际上有一些电子和空穴在复合时并不发生辐射,称为无辐射事件。
作者:朱梓悦; 秦海鸿; 董耀文; 严仰光; 徐华娟 期刊:《电气工程学报》 2016年第01期
电力电子器件是电力电子技术的重要基础。由于传统的硅电力电子器件的性能已经逼近其材料极限,很难再大幅提升硅基电力电子装置的性能。以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体器件比硅器件具有更优的器件性能,成为电力电子器件新的研究发展方向。本文对碳化硅和氮化镓电力电子器件的商业化产品水平和实验室研究现状进行了综述和探讨,并对宽禁带半导体器件在未来功率器件市场中的应用前景进行了预测及展望。
美国麻省理工学院(MIT)工程师最近开发出一种新技术,他们用一批特殊材料取代硅,制造出了超薄的半导体薄膜。新技术为科学家提供了一种制造柔性电子器件的低成本方案,且得到的电子器件的性能将优于现有硅基设备,有望在未来的智慧城市中'大展拳脚'。
目前,许多由有机材料制造的电子和光电子材料都具备良好的柔韧度,易于改变形状。与此同时,不易形变的无机化合物在制造光学、电气和机械元件方面展现出了强大的性能。但由于技术原因,二者却很难优势互补,功能优异的无机化合物半导体也因不易塑形的特点而遇到了发展障碍。
本文介绍一种有效的氮化镓偏置电路,该电路不仅能够严格控制栅、漏极的上下电顺序,保证氮化镓功率器件可靠工作,同时兼具栅压温度补偿功能,保证器件的静态工作点稳定,从而获得稳定的射频性能。
作者:娄本浊; 孙彦清; 黄朝军; 龙姝明; 赵升频 期刊:《陕西理工大学学报·自然科学版》 2013年第06期
利用调制光谱技术研究了以分子束磊晶法成长于GaAs基板上的GaN薄膜的光学特性。结果表明,在PR、CER及PzR谱线中均可观察到激子跃迁信号En与旋轨道分裂信号(E0+△0),且分裂量△0约为22meV。在15~300K的温度范围内均可观测到激子跃迁信号E0、自旋轨道分裂信号(E0+△0)及DA-Pair信号;但温度在400K和500K时谱线中只存在激子跃迁信号E0与DA—Pair信号,而观察不到信号(E0+△0)。随着温度的升高,样品的跃迁信号E0与自旋轨...
科技日报讯目前,许多由有机材料制造的电子和光电子材料都具备良好的柔韧度,易于改变形状。与此同时,不易形变的无机化合物在制造光学、电气和机械元件方面展现出了强大的性能。但由于技术原因,二者却很难优势互补,功能优异的无机化合物半导体也因不易塑形的特点而遇到了发展障碍。
作者:付冰冰 期刊: 2019年第17期
“从地图上看,我们的厂房就在特斯拉的旁边,如果特斯拉需要使用氮化镓的新材料,欢迎来邻居家看看。”9月12日,中国(上海)自由贸易试验区临港新片区首批重点项目集中签约和开工。其中签约项目23个,总投资超过110亿元。“与邻为善,以邻为伴”,作为签约项目之一——聚力成半导体(上海)有限公司的当家人,董事长刘箭向外商“邻居特斯拉”伸出了合作共赢的橄榄枝。
作者:郭熙凤 期刊:《中国战略新兴产业》 2015年第13期
<正>在欧洲防务局(EDA)领导下,由欧洲多国联合开展的"可制造的基于碳化硅衬底的氮化镓器件和氮化镓外延层晶圆供应链"(MANGA)项目负责人表示,已成功为欧洲氮化镓基功率电子器件的实现建立了供应链。来自德国、法国、意大利、瑞典和英国五个欧洲国家的研究机构、大学和国防企业已在过去
作者:蔡志清 期刊:《电子技术与软件工程》 2019年第04期
GaN器件与第二代的砷化镓(GaAs)器件相比,具有功率密度更高,耐高温特性更好,禁带更宽等优点。本文简要介绍GaN器件的几种最新技术和其在诸如“太空篱笆”系统、三坐标远程雷达(3DELRR)、驱逐舰防空反导雷达(AMDR)的几种应用实例。
作者:彭必先; 钱海生; 岳军; 陈丽娟; 王崇臣; 张丽娟 期刊:《中国科学院大学学报》 2005年第05期
氮化镓是直接带隙半导体材料,在室温下有很宽的带隙(3.39eV).它在光电子器件如蓝光、紫外、紫光等光发射二极管和激光二极管方面有着重要的应用.本文系统介绍了氮化镓的各种制备方法,对其结构和性能关系的研究,揭示了它在半导体领域广泛且重要的应用前景.