作者:张学强; 孙博; 贾静 期刊:《红外与激光工程》 2019年第11期
分别以铜、铝、有机玻璃、聚四氟乙烯为实验衬底材料,对采用片式粘敷封装技术的光纤布拉格光栅温度传感增敏特性进行了实验研究。研究结果表明,当对两侧尾纤有涂覆层的光纤布拉格光栅进行封装时,其温度灵敏系数分别是裸纤情况下的2.3倍、2.9倍、5.2倍、11.7倍。然而,粘敷材料在较高温度时显著的热膨胀会引起光纤包层与涂覆层发生一定的脱离,导致此时其实验结果重复性不甚理想。为了克服这种不利情况,对尾纤无涂覆层的光纤布拉格光...
作者: 期刊:《表面工程与再制造》 2009年第04期
半固着磨具在非晶态Ni-Pd-P合金薄膜铜片衬底精密研磨中的应用 非晶态Ni-Pd-P合金薄膜具有非常好的热传导性和耐磨性,因而被广泛用作防护镀层。铜片由于其良好的导电性能被选为生长非晶态Ni-Pd-P合金薄膜的衬底材料。
<正>Cree公司近日获得美国海军实验室1210万美元SiC项目的合同。开发基于SiC的高电压开关和二极管,该公司将从现在到2006年11月期间开发出器件的原型。 Cree公司先进器件部门的执行副总裁John Palmour称,"合同的第一阶段是展示10 kV、50 A的PiN整流器件和首个10 kV的SiC MOSFET;第二阶段是在此基础上按此例缩小器件的尺寸,以得到用于10 kV和110 A的模块。这些器件将被用于海军下一代航母和其他舰艇所用的供电管理设备。对极...
<正>据日本媒体Nihon Keizai Shimbun报道,日本有色金属制造商Dowa Min- ing有意批量生产蓝宝石基的GaN衬底材料。总部位于东京的Dowa公司将与名古屋工业大学合作开发上述产品,某些技术将由NGK Insulators公司提供。 Dowa公司预计向这个新项目投资超过4600万美元,在2007年财年一开始就投入量产,并预期在2008财年期间产品的销售收人达到9000万美元左右。
作者:邓勇军; 张之华; 钱达志; 马旭升 期刊:《原子能科学技术》 2005年第01期
板型燃料组件窄流道内的中子处于欠慢化状态,在堆芯中子注量率测量中,探测片衬底材料的引入将较大地改变窄流道内慢化介质的成分,从而影响中子的慢化和吸收,给测量结果带来较大误差.本工作采用蒙特卡罗模拟计算办法,分析了多种衬底材料在不同厚度及不同衬底方式下对中子场的扰动情况,为板型燃料组件堆芯中子注量率测量中衬底材料的选择及测量数据的处理提供了依据.
作者:席善斌; 高金环; 裴选; 高东阳; 尹丽晶; 彭浩 期刊:《微处理机》 2019年第02期
GaN HEMT由于其具有高频、高温、大功率、抗辐射等特性,在卫星、太空探测、核反应堆等辐射环境中具有广阔的应用前景。虽然GaN HEMT较Si基半导体器件具有优越的抗辐射特性,但距GaN材料本身的抗辐射能力和水平仍存在较大差距,GaN HEMT制造工艺是导致这一差距产生的主要原因。通过调研、分析近几年国际报道的GaN HEMT制造工艺对辐射效应的影响,分别从有源区隔离工艺、GaN沟道层厚度、钝化层结构和衬底材料四个方面作出对比,分析可能...
作者:忻州市政府网 期刊:《新材料产业》 2018年第12期
近日,中科晶电忻州半导体产业基地砷化镓项目正式开业运营。忻州中科晶电信息材料有限公司布局的砷化镓晶体及晶片制造加工项目投资2.5亿元,以研发、生产、销售砷化镓衬底材料为主,建设有2英寸、3英寸、4英寸、6英寸砷化镓衬底材料大规模生产线,规划年产砷化镓单晶片折合4英寸200万片。
作者:王宏亮; 乔学光; 周红; 赵大壮; 尉婷; 刘颖刚 期刊:《光电子激光》 2005年第04期
针对光纤布喇格光栅(FBG)发生弯曲应变实现压力(应力)传感检测的实际情况,对FBG与衬底材料全粘附和两点粘附耦合对压力传感特性影响进行了对比实验研究.结果表明,全粘附耦合会对传感器输入与输出响应特性产生较大的非线性影响,这种非线性影响主要来源于应力双折射、应力梯度等引起的谱展宽干扰.由实验结果得出,在压力为0~4 N测量范围内,采用全粘附耦合引起的FBG反射光谱的展宽约为0.28 nm;采用两点粘附耦合后,谱宽不随压力而变,而...
作者:邹和成; 乔峰; 吴良才; 黄信凡; 李鑫; 韩培高; 马忠元; 李伟; 陈坤基 期刊:《物理学报》 2005年第08期
利用结合移相光栅掩模(PSGM)的激光结晶技术在超薄a-SiNx/a-Si:H/a-SiNx三明治结构样品中制备出二维有序分布的纳米硅阵列.原始样品是用等离子体增强化学气相淀积法生长.a-Si:H层厚为10 nm,a-SiNx为50 nm,衬底材料为SiO2/Si或熔凝石英.原子力显微镜、剖面透射电子显微镜、高分辨透射电子显微镜对样品表面形貌和微结构的观测结果表明,采用该方法可以在原始淀积的a-Si:H层中得到位置可控的晶化区域:每个晶化区域直径约250nm,具有同PS...
作者:颜冲 期刊:《真空科学与技术学报》 2004年第05期
通过改变制备NiO薄膜的氩气压和衬底材料,研究了NiO的结构、表面粗糙度对NiO/CoFe双层膜交换耦合场Hex的影响.实验表明完全自旋未补偿面与交换耦合场的产生没有直接联系,但交换耦合场Hex与界面状况密切相关.增大NiO的表面粗糙度会使交换耦合场Hex减小.应用随机场理论在考虑了实际界面存在的粗造度、杂质和缺陷等实际情况下,正确地预测了交换耦合场的数量级,而且对交换耦合场与铁磁层厚度tFM、反铁磁层厚度tAFM以及交换耦合场的温度...
国家特种矿物材料工程技术研究中心承担的作为氧化锌(ZnO)薄膜衬底材料的氧化锌体单晶研究取得突破,技术水平全国领先。
Zno薄膜因为具有发光波长短,耐高温的性质而逐渐被科学界所关注,而磁控溅射制备ZnO-TFT的方法又是目前最为广泛,被大家所认可的技术之一。本文将介绍在磁控溅射制备存在的影响因素,以及对所得ZnO薄膜衬底材料的一些分析。
砷化镓广泛应用于光电子和微电子领域,是制作半导体发光二极管和通信器件的关键衬底材料。与硅单晶一样,砷化镓衬底正逐步向大尺寸、高几何精度、高表面质量方向发展。目前,日本住友电工、美国AXT代表着国际领先水平;中科晶电、晶明公司代表着国内的先进水平。未来几年,是国内企业研发6英寸产品,向国际水平冲击的重要时期。
作者:罗子江; 杨健; 王继红 期刊:《物理实验》 2007年第04期
简要叙述了MgB2的发展和制备历史,通过对不同衬底材料上MgB2的反应情况的总结概括以及对不同衬底材料和MgB2的晶体结构和晶格常量的比较,提出一种MgB2超导多层膜的制备方案.
作者:乔学光; 李婷; 王宏亮; 贾振安; 周红 期刊:《传感器与微系统》 2007年第04期
提出了以半导体硅材料作为光纤Bragg光栅(FBG)衬底的FBG压力传感密封型结构,并对其压力传感特性进行了研究,结果表明:FBG的中心反射波长漂移对压力呈现良好的线性响应特性,在0-35MPa的测压范围内,压力调谐灵敏度为0.034nm/MPa;有良好的机械性能和稳定性能。通过对实验数据的拟合分析表明:采用这种材料,其中心波长和压力变化有着好的线性拟合度和重复性,且迟滞很小,它们的相关系数都达到0.99,在光传感领域具有实用...
CenTurio是一套高效湿法工艺系统,并配备有CenTurioDry干法工具和极其有效的清洗系统。该系统可用于大部分衬底材料的一般刻蚀和/或清洁工艺。
作者:杨武保; 范松华; 戈敏; 张谷令; 沈曾民; 杨思泽 期刊:《物理学报》 2006年第01期
利用自制高能等离子体辅助化学气相沉积设备在1Cr18Ni9Ti衬底上,在离子能量2keV、工作压力2Pa、工作气氛为CH4/H2=10%的工艺条件下得到了一种硬度高、导电性能良好、可能具有碳链结构的新型碳膜.工艺研究结果表明,衬底材料对制备该新型纳米碳膜具有关键作用,离子能量、工作压力及气氛等工艺因素也具有重要作用.原子力显微镜分析结果表明,该薄膜晶粒尺寸小于100nm,薄膜光滑、致密、均匀.拉曼光谱分析显示,该薄膜的拉曼光...