作者:何亮; 郑介鑫; 刘扬 期刊:《电力电子技术》 2017年第08期
氮化镓(GaN)功率电子器件具有优异的电学特性,在高速、高温和大功率领域具有十分广阔的应用前景,满足下一代功率管理系统对高效节能、小型化和智能化的需求。P型栅和Cascode结构的常关型GaN器件已逐步实现产业化,但鉴于这两种器件结构本身存在的缺点,常关型GaNMOSFET器件方案备受关注。目前,GaN功率开关器件主要朝高频化发展,封装形式从直插型(T0)封装向贴片式(QFN)封装演变,为进一步消除寄生效应对器件高速开关特性...
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