作者:吴国浩; 郑树凯; 刘磊 期刊:《稀有金属与硬质合金》 2013年第05期
:采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法计算研究了A1掺杂、F掺杂、Al-F共掺杂锐钛矿相TiO2的能带结构、电子态密度和吸收光谱。计算结果表明:掺杂TiOz的禁带宽度均有不同程度的减小,其中A1掺杂TiO2禁带宽度减小幅度最大;掺杂TiO2的吸收边均出现不同程度的蓝移,其中F掺杂TiO2吸收边的蓝移程度最大;在可见光区,F掺杂TiO2的吸收能力明显增强,Al掺杂TiO2居中,而Al—F共掺杂TiO2未增强。
作者:李佳帅; 刘倩倩; 张静; 闫江 期刊:《北方工业大学学报》 2018年第05期
随着纳米器件的进一步微缩,Hf基高k材料已无法满足其发展需求,需要引入新的高k材料.为了减小纳米器件的等效氧化层厚度(EOT),向HfO2中掺入Al元素,并分别在N2、O2氛围下,对其进行不同时间(15s、30s和60s)的后沉积退火(PDA),退火温度为650℃.结果表明,随着退火时间的增加,O2中样品的EOT、栅极泄漏电流(Ig)以及平带电压(Vfb)均未出现明显变化,而N2中样品的EOT在退火时间为30s时急剧下降,h也有昕上升.最终,退...
作者:王航; 师清奎; 李谦; 顾永军; 李丽华; 黄金亮 期刊:《半导体光电》 2019年第02期
采用溶胶-凝胶旋涂法在FTO玻璃衬底上制备得到了不同Al掺杂浓度的ZnO薄膜(AZO)。利用XRD、FESEM、UV-vis和PL等测试手段对样品结构、形貌和光学性能进行了表征。结果表明,合成的AZO薄膜均为六方纤锌矿结构且峰强随掺杂浓度的升高而减弱;同时,颗粒形貌由不规则向规则球形转变且尺寸逐渐减小;PL谱中的近紫外发射峰和晶格缺陷峰值随掺杂浓度的升高先增大后降低;由UV-vis吸收光谱可知,AZO薄膜在设定波长内的光吸收处于波动状态,且当Al...
Al^3+替代B位Nb5+对α-BZN电介质材料烧结特性、相结构和介电性能的影响。研究表明:当Al^3+掺杂量x≤0.2时,样品的相结构与基体结构一致;在1 MHz下,介电常数随x的增加而逐渐增大,介电损耗随x的增加略减小后增大;在-195~150℃,其介电常数存在明显的介电弛豫现象,在1 MHZ下的峰值温度依次为:-98.8℃、-101.4℃、-99.6℃、-93℃。
作者:徐自强; 邓宏; 谢娟; 李燕 期刊:《液晶与显示》 2005年第06期
采用溶胶-凝胶工艺在普通玻璃片上制备了ZnO∶Al薄膜.通过XRD、UV透射谱和电学测试等分析方法研究了掺Al对薄膜的组织结构和光电性能的影响.分析表明:所制备的薄膜具有c轴择优取向,随着掺Al浓度的增加,(002)峰向低角度移动,峰强逐渐减弱.薄膜电阻率随掺Al浓度变化,当掺Al浓度为1.5 %(摩尔分数),薄膜电阻率降至6.2×10-4 Ω·cm.掺Al量的增加同时使得薄膜的禁带宽度变大,光吸收边出现蓝移现象.
作者:张飞鹏; 杜亚冰; 房慧; 李凡生; 余小英; 王新练; 王朝勇; 张光磊; 张忻 期刊:《河南城建学院学报》 2018年第01期
应用第一原理方法研究了n型A1:ZnO块体材料的几何结构、能带、态密度分布、电子分布、光学性质和电性质。分析结果表明:ZnO晶胞略有收缩,晶胞0,b,C轴均减小;掺杂ZnO块体材料导带和价带之间具有0.85eV的直接带隙,能隙宽度减小;态密度分布在费米能级附近大大增加,这些状态主要由Als、Alp、Zns、Ov构成,且Zns、Als、Alp和Op之间存在着强偶合相互作用,其中Zns态、Als态和Alp态电子对导带贡献最大,A1:ZnO块体材料呈现宽的...
作者:方琳; 唐立丹; 王冰; 董欢 期刊:《科技经济市场》 2017年第06期
以KMnO4、MnSO4和Al(NO3)3为原料,采用脉冲电磁场辅助水热法可以制备出Al掺杂MnO2粉体,并对产物进行了XRD、SEM、电化学测试技术表征。结果表明,脉冲电磁场辅助制备的水热Al掺杂MnO2较未经脉冲电磁场辅助制备的Al掺杂MnO2粉体具有更好的循环伏安特性,施加脉冲磁场后,其循环伏安曲线均呈良好的矩形,具有更快的电流响应速度。
作者:韩熙; 郑建云; 张帅拓; 刘金玉; 郝俊英 期刊:《摩擦学学报》 2017年第03期
采用磁控溅射技术,以Al为溅射靶材,甲烷为溅射气体,在不同射频功率下制备了一系列Al含量不同的类金刚石碳基薄膜(AL-DLC).分析了Al含量对薄膜成分、结构及机械性能的影响,并探讨了其在空气和水介质下的摩擦磨损行为.结果表明:Al掺杂使得薄膜中sp3-C的生长受到抑制,sp2-C增加,表面吸附水分子能力变强,在水介质摩擦过程中的剪切阻力变小,从而使得摩擦磨损减小.通过调整射频功率可以对薄膜中Al含量进行调控,在最优Al含量时,Al-DLC...
作者:李智敏; 张茂林; 闫养希; 黄云霞; 罗发; 庞锦标 期刊:《稀有金属材料与工程》 2017年第02期
采用热压烧结法制备了Al掺杂的Ti3SiC2陶瓷,通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、能谱仪、矢量网络分析仪等,分别对所制备的样品进行了表征和抗氧化性能、微波介电性能测试。结果表明:所制备的Al掺杂陶瓷具有相当高的Ti3SiC2质量分数,陶瓷晶粒呈现明显的层状特征。相比于未掺杂样品,通过Al掺杂途径,可显著提高Ti3SiC2陶瓷1200℃高温下的抗氧化性能,并使Ti3SiC2陶瓷的介电常数实部ε'和虚部ε"值大幅度增加,其在8.2~12.4 GHz频率范...
作者:刘丹丹; 宋世金; 张雪峰; 谈文鹏; 虞澜 期刊:《人工晶体学报》 2017年第02期
采用固相反应法制备了六方纤锌矿结构Zn_(1-x)Al_xO(0≤x≤0.03)系列多晶,探究了Al掺杂对ZnO多晶的微观形貌和热电输运性质的影响。结果表明,Al掺杂促使ZnO晶粒长大联结,晶界减少,x〉0.003时出现在晶界分布的ZnAl_2O_4尖晶石相。掺杂后样品由ZnO的半导体行为转变为电阻率显著下降的金属行为,且x=0.003有最小的室温电阻率~1.7 mΩ·cm,主要由于掺杂使样品载流子浓度和迁移率显著提高,x=0.003时载流子浓度和迁移率为最高,分别为1....
作者:王善兰; 廖杨芳; 房迪; 吴宏仙; 肖清泉; 袁正兵; 谢泉 期刊:《半导体技术》 2017年第01期
采用磁控溅射方法和热处理工艺在Si衬底上制备了不同Al质量分数的Mg2Si薄膜,研究了不同Al质量分数对Mg2Si薄膜结构及其电学性质的影响。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和四探针测试仪对Al掺杂Mg2Si薄膜的晶体结构、表面形貌和电学性质进行表征和分析。结果表明:采用磁控溅射技术在Si衬底上成功制备了不同Al质量分数的Mg2Si薄膜,样品表面表现出良好的连续性,在Mg2Si(220)面具有择优生长性。随着质量分数的增加,结...
作者:潘红梅; 黄兴奎; 何翔 期刊:《常州工学院学报》 2006年第06期
采用MF—PECVD法制备ZnO和高透射率的ZAO薄膜,分析了影响ZnO和ZAO薄膜质量的因素。研究了透射率与衬底温度、沉积时间、锌源浓度以及Al杂质含量之间的关系,讨论了工艺参数对薄膜透射率、颜色、均匀度、附着力、成膜速率及其晶型的影响,给出了制备ZnO和ZAO薄膜的优化条件。
作者:刘志明; 王先友; 唐安平; 卓海涛 期刊:《电源技术》 2007年第06期
运用高温固相法成功合成了钠离子电池正极材料NaV1-xAlxPO4F(X=0、0.02)。通过傅里叶变换红外光谱法(FT—IR)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)对材料的晶体结构和形貌进行了表征,研究结果表明NaV1-xAlxPO4F为简单单斜晶型。从材料的晶体结构、恒流充放电测试和循环性能等方面分析了掺杂元素Al在改善材料性能中的作用。实验表明:掺Al后正极材料的电化学性能得到较好的改善,材料的首次放电比容量为80.4mAh/g。效率高达...
利用溶胶-凝胶法在蓝宝石(0001)衬底上制备了多晶ZnO∶Al薄膜,薄膜表面具有特殊的交叉链状形貌。随着掺铝浓度的提高,链条有明显变细的趋势。X射线衍射证实,提高掺铝浓度有利于促进薄膜沿(002)方向的生长,并且光学带隙随着掺杂浓度的提高从3.21 eV增大到3.25 eV。光致发光光谱显示,薄膜在390 nm处出现较强的紫外峰,同时还出现了与Zn空位和Zn填隙缺陷能级有关的415 nm和440 nm两个比较弱的蓝峰。对实验结果以及产生的机理进行了...
作者:徐自强; 邓宏; 谢娟; 李燕 期刊:《光电子激光》 2006年第03期
采用溶胶-凝胶法,在玻璃上制备了不同掺Al浓度的ZnO薄膜。x射线衍射(XRD)结果表明,所制备的薄膜具有c轴择优取向,随着掺Al浓度的增加,(002)峰向低角移动,峰强逐渐减弱。探讨了掺Al对ZnO薄膜发光性能的调控作用,薄膜的透射谱表明:通过改变掺Al浓度,可以提高ZnO薄膜的紫外光透过率,使其吸收边向短波长方向的移动被控制在一定的范围内,从而使薄膜禁带宽度连续可凋;薄膜的光致发光(PL)谱显示:纯ZnO薄膜的PL谱是由紫...
作者:刘光诒; 殷志强 期刊:《太阳能》 2014年第11期
对Al掺杂的ZnO膜(AZO),一般是通过空心阴极气流溅射法,采用zn.Al合金靶,将它沉积在玻璃上。溅射功率通常固定在1500W,室温下,O2流量为38—50sccm,可沉积出电阻率0.81×10^-3~1.1×10^-3Q·cm的AZO膜,沉积速率几乎恒定在270~300nm/min。此外,在200℃、02流量为25~50sccm下,也能得到5.2×10^-4~6.4×10^-4Ω·cm的低电阻率AZO膜,且能达到200~220nm/min恒定沉积速率。两种膜在可见光范围内的透明度均在80%以上。
作者:刘文刚 许云华 杨蓉 任冰 期刊:《热加工工艺》 2010年第02期
以Li2SiO3、 Mn(CH3COO)2·4H2O和Al(OH)3为原料,用传统高温固相合成法成功制备出Li2Al0.1Mn0.9SiO4锂离子电池正极材料。采用XRD、FESEM分析了正极材料的相组成、结构和形貌,利用电池测试仪测试了正极材料的电化学性能。研究结果表明,固相合成的产物主相为Li2Al0.1Mn0.9SiO4,同时存在少量的杂质,产物表面形貌为非球形颗粒,颗粒尺寸为100~500 nm。实验结果表明,Al掺杂后,正极材料的可逆容量和循环寿命都得到提高。正极...
作者:刘国聪 董辉 刘少友 期刊:《中国有色金属学报》 2011年第12期
以钛酸四丁酯为钛源、十八水硫酸铝为铝源、三乙醇胺为模板剂,采用研磨一溶胶技术合成了A1掺杂的Ti02介孔材料,并利用XRD、EDS、TEM、BET、UV-vis和IR等手段表征了材料的结构、形貌、比表面积、孔径分布及光学性能。结果表明:Al掺杂能够减小Ti02光催化剂的粒径,提高介孔TiO2的热稳定性;Al掺杂TiO2介孔材料的平均孔径为4.5nm,比表面积达到110.2m2/g;相比商用P25和介孔Ti02,A1掺杂介孔Ti02的吸收边发牛红移,对初始浓度为...
作者:钟盛文 钟风娣 张骞 期刊:《有色金属科学与工程》 2013年第04期
采用共沉淀法合成镍钴锰氢氧化物前躯体,使其和碳酸锂混合均匀后,高温焙烧合成锂离子正极材料LiNi0.5Mn0.3Co0.2O2,研究了掺杂Al(OH)3对材料循环性能的影响.用X射线衍射和扫描电镜对合成的粉末进行了表征,用电性能测试仪研究了材料的电化学性能.研究发现:温度为850℃时焙烧的材料具有最优的电性能,1C电流初始放电比容量达到157.2 mAh/g(2.75~4.2V),循环50次放电比容量保持率为94.8%,循环100次材料的放电比容量保持率为90.1%....
作者:丁银 王晓清 阮艳莉 张磊 汤恩旗 期刊:《电源技术》 2012年第09期
采用高温图相法合成尖晶石LiMn2O4.从掺杂AP稳定晶体结构和包覆抑制锰的溶解两方面来改善尖晶石LiMn2O4的高温电化学性能。实验表明。改善后的正极材料在高温50℃且0.5C(C=120mAh/g)下的首次放电比容量为93.3mAh/g。循环50次后的放电比容量为82.8mAh/g。比空白样品提高34.1mAh/g。容量保持率达到88.7%。比空白样品提高39.8%。