摘要：利用水热法以及脉冲激光沉积（PLD）技术分别在Si（100）和GaAs（100）衬底上制备了沿c轴高度取向的ZnO纳米棒，并对ZnO／p—Si以及ZnO／p—GaAs异质结的发光特性和电学特性进行了测量．通过对比两种衬底上生长的ZnO纳米结构的表面形貌和结晶质量，发现：生长在GaAs（100）衬底上的ZnO纳米棒排列整齐，结构致密，沿C轴择优生长取向较好．ZnO／p-GaAs异质结的光致发光光谱由三个主要的发光峰组成，分别是：380nm附近的紫外发光峰、450～700nm的黄绿光发光带以及850nm左右的GaAs本征发光峰．通过计算得到该光致发光谱的色度坐标，与标准白光的CIE色度坐标（0．333，0．333）接近，这为进一步实现ZnO基固体白光LED发光器件提供了依据．

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