应用于半导体器件钝化的类金刚石膜仿真模型的建立

摘要：为建立类金刚石膜材料仿真模型,采用PECVD法在石英及硅衬底沉积出适用于功率半导体器件钝化的类金刚石膜,借助光谱吸收法测量其禁带宽度,结合材料电特性、能带结构及其与衬底的相互作用,将材料在Silvaco ATLAS器件仿真系统中重现。结果表明,材料模型的电特性仿真数据与实验数据相关性达0.9以上。该仿真模型可应用于优化类金刚石膜钝化工艺,研究类金刚石膜材料掺杂特性。

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