摘要：随着集成电路技术的不断发展,在半导体工业中,我们已经进入了亚微米时代。特征尺寸不断减小和金属连线高宽比增加导致互连电容快速上升引起串扰问题;层数增加引起的层间寄生电容的加大并产生额外的互连延时,成为提高电路速度的主要障碍。为提升电路速度与解决串扰问题,我们研究缓解此问题的low-k技术。

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