摘要：分析和讨论了CCD抗晕结构,并建立了CCD纵向抗晕结构模型。运用半导体器件数值模拟软件MEDICI,对建立的纵向抗晕CCD器件模拟结构进行数值计算,并详细分析和讨论了衬底反偏电压。1PW层硼掺杂浓度、N型沟道磷掺杂浓度和TG转移栅下P杂质掺杂浓度参数对CCD纵向抗晕能力的影响,并得到了CCD纵向抗晕结构的一种优化结构。

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