摘要：介绍了电子回旋共振低温等离子体化学气相沉积氮化镓薄膜工艺，并以高纯氮气N2和三甲基镓（TMG）为反应气源，在T=450°条件下，在α-A12O3（0001）面上低温生长了GaN薄膜。X射线分析显示GaN薄膜的（0002）峰位置为2θ=34．75°，半峰宽为18′。这一结果说明了ECR-PECVD法具有在低温下生长GaN薄膜的优势。

注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社