摘要：VDMOSFET（Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor）功率器件不同于传统数模集成电路中器件,除了基本的静态和交流特性以外,UIS（非箝位感性负载开关）雪崩耐量（Eas）也是功率器件重要的衡量指标。非箝位感性负载开关过程所引起的VDMOS器件失效是VDMOS在应用过程中最主要的失效形式。故而,提高非箝位电感开关雪崩耐量的研究具有极为重要的意义。本文通过对工艺及器件结构的优化,使VDMOSFET的UIS雪崩耐量在不增加工艺层次的条件下增加接近70%。

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