摘要：我们采用ECR-PEMOCVD等离子体系统在200℃下对SiC表面进行了氢处理。处理前后我们对SiC表面做了RHEED和XPS分析。通过分析我们发现经过氢等离子体处理的SiC表面比传统湿法的SiC表面平整度更高,C/C-H的含量显著下降,抗氧化能力显著提高提高。
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