摘要：中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室新型硅基集成电路（SOI）材料课题组在国际上首次采用单侧氟化石墨烯作为锗基MOSFET的栅介质／沟道界面钝化层。用以调制界面特性。这有望解决未来微电子技术进入非硅CMOS时代后。用锗材料替代硅材料将面临的栅介质，沟道界面不稳定的难题。

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