首页 期刊 科技经济导刊 CeO2掺杂对SBT-NBT铋层状无铅压电陶瓷性能的影响 【正文】

CeO2掺杂对SBT-NBT铋层状无铅压电陶瓷性能的影响

作者:王东兴; 郇正利; 闫锋; 王文林 中国电子科技集团公司第四十六研究所
ceo2掺杂   铋层状   无铅压电   高居里温度  

摘要:本文通过文献调研确定配方(1-x)SrBi4Ti4O15-xNa0.5Bi4.5Ti4O15具有较好的压电性能,再通过CeO2的掺杂进行性能调整。与纯0.9SBT-0.1NBT相比,掺杂CeO2后压电性能有明显的改善,当CeO2的掺杂量为0.50wt%时,获得最佳配方性能为:d33=27 pC/N,TC=598oC,tanδ=0.09%,同时具有较好的耐高温性能,大大提升了其在高温领域的应用价值。

注:因版权方要求,不能公开全文,如需全文,请咨询杂志社

学术咨询 免费咨询 杂志订阅