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CMOS集成电路闩锁效应抑制技术综述

作者:董丽凤 李艳丽 王吉源 江西理工大学信息工程学院 江西赣州341000
cmos集成电路   闩锁效应   可控硅   抑制  

摘要:闩锁效应是CMOS集成电路在实际应用中失效的主要原因之一,本文从CMOS集成电路工艺结构出发,详细地分析了闩锁效应的形成机理,并从版图和工艺设计两方面总结了几种抑制闩锁效应的关键技术。

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