摘要：该文首次提出了一种具有辅助栅的U沟道无结场效应晶体管，通过研究各器件参数变化对所提出的新型器件性能造成的影响，来分析器件的电学特性。通过优化器件参数，关断状态时的反向泄漏电流会被有效减小，将优化后的器件与没有加辅助栅的U沟道无结场效应晶体管做对比仿真，得到它的I-V特性与亚阈值特性。该文中的所有仿真均使用SilvacoTCAD来完成。

注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社