摘要：以粒子束技术为基础的材料制造技术,在材料和半导体器件的发展中起着举足轻重的作用,芯片性能的提高将更多地依赖于粒子束与微纳物质作用及其精确调控技术。目前,离子注入技术最成功的应用领域是半导体工业,其被广泛应用于半导体源／漏、阱掺杂工艺中;另一方面,在微电子、光电子领域的前沿-SOI技术领域,离子注入技术同样获得广泛应用,例如：采用氧离子注入合成SOI材料并利用缺陷离子实现对其绝缘埋层厚度的精确调控,氦-氧多种类离子注入合成SOI纳米结构等。此外,为了推动微电子技术沿摩尔定律继续发展,新型硅基应变材料,如,绝缘体上应变硅和绝缘体上应变锗硅等,由于具有比Si高的多的载流子迁移率以及同传统的Si器件工艺兼容,因而得到研究领域和产业界的高度重视。其材料制备关注的焦点在于利用离子注入引入纳米孔层对异质外延应变材料应力释放,实现应力转移,最终获得以上新型硅基应变材料。总之,对离子注入合成纳米尺度材料的机理进行研究,探索半导体材料离子注入原子的沉淀分解、扩散与成核长大等物理效应与演变机制,以及粒子束对材料应变的形成、应变释放的作用对新型半导体材料合成具有重要的指导意义。高能离子束与光电绝缘体功能材料的相互作用是一个具有很强应用前景的课题。具有一定能量的离子束,轰击光电功能材料表面,辐照离子通过损伤、缺陷机制,诱导特定区域的折射率发生变化,在表面形成光波导结构。根据注入离子的能量、方式的不同,可以分为离子注入、快重离子辐照、聚焦质子束。我们综合利用上述手段在多种晶体材料中晶体上实现波导结构,研究表明离子辐照技术作为一种非平衡的物理方法,注入离子的数量小,而且多数离子都位于注入射程的末端,在波导层中几乎没有掺杂效应,能够�

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