摘要：在现有晶体势参数的基础上，利用GULP软件计算了铌酸锂（LiNbO3,LN）晶体的各类本征缺陷的缺陷生成能，并对LN晶体中可能存在的缺陷反应进行了讨论。结果表明，LN晶体中最容易形成缺陷，且这两类点缺陷倾向于以缺陷簇的形式存在。与此同时，LN晶体中还可能形成缺陷。

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