摘要：通过Ag掺杂和磁控溅射方法生长ZnO：Ag薄膜，分析了氧气氛退火温度后薄膜的微结构和电阻率等电学性能。退火前薄膜的晶拉大小为l5nm，经过600℃氧气氛热处理后，晶拉增大到35nm左右；霍耳洲试结果表明，氧气氛后ZnO：Ag薄膜转变为p型电导。薄膜对可见光的透过率大于83％，有陡峭的截止吸收限，对小于378nm的紫外光有强烈的吸收。

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