摘要：目的：探讨电针百会穴对APP/PS1转基因小鼠空间学习记忆能力及氢质子磁共振波谱（1H-MRS）的影响。方法：雄性APP/PS1转基因小鼠及雌性阴性小鼠育种后代,经PCR鉴定后将育种后代中15只转基因小鼠根据随机数字表分为模型组7只和电针组8只,8只同窝阴性小鼠作为正常组。电针百会穴干预4周,正常组及模型组同等条件抓取。Morris水迷宫观察小鼠空间学习记忆能力,1H-MRS检测小鼠脑内海马区N-乙酰天门冬氨酸（NAA）、谷氨酸（Glu）水平。结果：Morris水迷宫试验显示,电针组小鼠逃避潜伏期较模型组显著缩短（P〈0.05）,穿越平台次数增加（P〈0.05）;与模型组小鼠比较,电针组小鼠海马区NAA、Glu水平均较高,差异具有统计学意义（P〈0.05）。结论：电针百会穴可改善APP/PS1转基因小鼠空间学习记忆能力,其作用机制可能与脑内海马区NAA、Glu含量增加有关。

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