摘要：总结了MOCVD生长GaN薄膜过程中气相化学反应机理的研究进展。首先分别从反应器结构和自由基对气相反应机理的影响进行总结与分析，得到不同影响条件下的反应路径趋势i然后介绍了量子化学计算在GaNMOCVD气相化学反应机理研究中的应用与发展。

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