摘要：采用化学沉淀方法在硅粉表面沉淀了Ni（OH）2,利用其原位合成NiO来催化硅粉氮化制备Si3N4粉,研究了原位合成NiO含量（质量分数为0-2.0%）和氮化温度对硅粉氮化的影响。结果表明：原位合成的NiO可以促进硅粉的氮化,随着NiO含量的增加,硅粉的氮化率呈先增后减的变化趋势;随着氮化温度的升高,硅粉氮化率逐渐提高,当温度升高到1 400℃、NiO质量分数为1.0%时硅粉全部氮化;制备的Si3N4呈晶须状,直径为65~497nm,其生长符合固-液-气-固（SLGS）生长机理。

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