摘要：传统CVD法合成的SiC纤维其最高使用温度仅有900℃,氧化先驱丝法制备的SiC纤维也只能用于1 000℃以下。主要介绍了我国射线化学合成法制备耐高温抗氧化的SiC纤维（使用温度高于1 600℃,单丝抗拉强度达2.2～2.7GPa）的系列关键技术,及其基于这些技术制备圆形截面管状SiC纤维（外径为10～15μm,壁厚2～3μm）的技术;同时也简介了射线化学应用于纳米微孔SiC功能陶瓷以及SiCf/SiC陶瓷基复合材料等方面的研究进展。

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