首页 期刊 机械工程材料 高纯Ti3SiC2的合成及其反应机理 【正文】

高纯Ti3SiC2的合成及其反应机理

作者:路金蓉 周洋 孙建军 李世波 黄振莺 翟洪祥 北京交通大学机械与电子控制工程学院 北京100044
钛硅碳   高纯度   反应机理  

摘要:在不添加任何反应助剂的情况下,探索采用不同的原料体系用真空固相反应方法制备高纯度Ti3iC2;X射线衍射仪研究了合成工艺条件对粉体纯度的影响,并对其反应过程和反应机理进行了探讨。结果表明:以TiH2、硅粉和TiC粉为原料,可合成得到高纯度Ti3SiC2粉体,纯度均在90%以上,最高可达98.64%;TiH2、硅粉、TiC粉体的物质的量比为1:1.25:1.9时在1400℃时可合成纯度较高的Ti3SiC2,在1500℃时Ti3SiC2开始分解。

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