首页 期刊 机械工程材料 钨含量对磁控溅射铜钨合金薄膜结构和性能的影响 【正文】

钨含量对磁控溅射铜钨合金薄膜结构和性能的影响

作者:郭中正 孙勇 周铖 段永华 彭明军 昆明理工大学云南省新材料制备与加工重点实验室 昆明650093
铜钨合金   薄膜   固溶度   电阻率   显微硬度  

摘要:用磁控溅射法制备铜钨合金薄膜,采用能谱仪、X射线衍射仪、透射和扫描电镜、电阻计和显微硬度仪等对合金薄膜的成分、结构和性能进行了表征,探讨了钨原子分数的影响。结果表明:含原子分数31.8%~54.8%钨的铜钨膜呈非晶态,表面较平整;含18%和609/6钨的膜为晶态,且出现固溶度扩展,分别存在fcc Cu(W)亚稳过饱和固溶体和bccW(Cu)固溶体,铜钨膜电阻率高于纯铜膜的,非晶铜钨膜电阻率较晶态膜高1.9倍以上;铜钨膜硬度与钨含量呈正相关,非晶及晶态铜钨膜硬度分别低于和略高于Voigt公式的计算值。

注:因版权方要求,不能公开全文,如需全文,请咨询杂志社

学术咨询 免费咨询 杂志订阅