摘要：研究了粗碳化硅（SiC）颗粒的加入对再结晶碳化硅陶瓷（RSiC）抗热震性能的影响；通过不同温度下热震（水淬试验）后测试不同配方陶瓷的残余强度来评价其抗热震性能，并测试了R-SiC陶瓷在30-1200℃的平均线膨胀系数，通过SEM分析了材料的显微结构及热震损伤机制。结果表明：随着粗SiC颗粒（250pm）含量的提高，R—SiC陶瓷的密度、临界热震温差均先升后降；含有50%250μmSiC颗粒陶瓷的密度最大，为2．60g·cm^-3，线膨胀系数最小，为4．60×10^-6／℃，抗热震性能最好，其临界热震温差达395℃；250gmSiC颗粒的引入使得R-SiC在热震过程中产生大量的微裂纹，能够迅速吸收存储在材料中的弹性应变能，从而提高其抗热震性能。

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