摘要：对单晶硅片〈111〉进行了注入剂量为2×10^16ions·cm^-2、注入能量分别为60keV和80keV的碳离子注入，采用X射线衍射仪研究了碳离子注入前后硅片晶体结构的变化，采用UMT-2型微动摩擦试验机进行了微动摩擦磨损试验，采用超高精度三维形貌仪测量了硅片的磨痕深度，采用S-3000N型扫描电子显微镜分析了硅片的磨损形貌及磨损机理。结果表明：碳离子注入改变了硅片的晶体结构，使晶体无序化；硅片的摩擦因数和磨痕深度均随着载荷、微动振幅的增加而增大；碳离子注入后硅片的减摩效果和抗磨性能得到明显改善，当载荷达到一定值后，随着时间的延长，碳离子注入层逐渐被磨破，摩擦因数迅速增大；注入能量为60keV硅片的减摩抗磨性能较好；碳离子注入前后硅片的磨痕均呈椭圆形，注入后磨痕面积小且表面损伤程度较轻，磨损机制以磨粒磨损为主。

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