摘要：用直流反应磁控溅射法在Si（100）基底上制备了TiN薄膜，采用x射线衍射仪和原子力显微镜对其结构和形貌进行了表征，利用四探针测试仪测量了TiN薄膜的方块电阻，使用紫外可见分光光度计测定了薄膜反射率；研究了溅射沉积过程中氩气与氮气流量比对TiN薄膜结构及性能的影响。结果表明：在不同氩气与氮气流量比下，所制备薄膜的主要组成相是（200）择优取向的立方相TiN；随着氩气与氮气流量比的增加，薄膜厚度逐渐增大，而表面粗糙度与电阻率先减小后增大；当氩气与氮气流量比为15：1时，薄膜表面粗糙度和电阻率均达到最小值；TiN薄膜的反射率与氩气与氮气流量比的关系不大。

注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社