摘要：分别以粉末钛、硅、石墨和钛、碳化硅、石墨为原料,采用反应烧结工艺制备Ti3SiC2材料。结果表明:当以钛、硅、石墨单质粉料为原料时,在1 200~1 400℃温度范围内能够合成出高纯度的Ti3SiC2块体材料,且其纯度随着硅含量的增加而提高;当原料摩尔比为3∶1.3∶2和3∶1.4∶2时,该材料中只有Ti3SiC2相而无其他相存在;而以钛、碳化硅、石墨粉末为原料时,在1 200~1 400℃温度范围内很难合成出高纯度的Ti3SiC2块体材料。

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