首页 期刊 机械工程材料 放电等离子烧结工艺制备致密碳化硅陶瓷 【正文】

放电等离子烧结工艺制备致密碳化硅陶瓷

作者:张勇 何新波 曲选辉 孔祥磊 段柏华 北京科技大学材料科学与工程学院 北京科技大学材料科学与工程学院 北京 北京100083教授
碳化硅陶瓷   放电等离子烧结   致密度  

摘要:以SiC微粉为原料,并添加质量分数为10%的Al2O3和Y2O3为烧结助剂,采用放电等离子烧结(SPS)技术快速制备了SiC陶瓷,对烧结致密化过程、SPS烧结温度、烧结压力及烧结时间对致密化的影响进行了研究,并通过XRD和SEM等检测手段对SPS烧结得到烧结体的显微组织和物相组成进行了分析。结果表明:SiC的SPS烧结过程可分为放气膨胀区、气体溢出收缩区、烧结收缩区、烧结完成区四阶段,最佳的烧结参数为1600℃,50 MPa,5 min,所得的烧结体致密度达99.09%。

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