首页 期刊 机械工程材料 纳米抗静电剂SnO_2/TiO_2的合成 【正文】

纳米抗静电剂SnO_2/TiO_2的合成

作者:李玲 暨南大学功能材料研究所广东广州510632
纳米抗静电剂   合成   工艺  

摘要:通过Sol-Gel法合成SnO2/XiO2复合纳米抗静电剂,TEM分析和研究表明:抗静电剂粒子大小、分散性与SnCl2浓度、搅拌速度有关;抗静电剂的电阻率大小与SnO2与TiO2的配比有关;抗静电剂的颜色稳定性与原料配比有关。最佳工艺条件为:SnCl2浓度0.85mol/L,SnO2与XiO2的摩尔比为1:0.1,搅拌速度160r/min。抗静电剂为球形粒子,分散均匀,平均粒径为5nm;粉末为白色,电阻率为0~10Ω·cm。

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