摘要：采用第一性原理计算方法研究C掺杂对Mn3Ge的影响.对Mn3-xGe Cx的晶体结构进行几何优化,发现C原子最稳定的掺杂位置在正八面体的中心位置.研究其电子结构和总磁矩随C掺杂量的变化,发现总磁矩随着C浓度的增加先减小后增大,其中Mn3Ge C0. 4总磁矩接近零,可以实现完全的磁性补偿.研究Mn3Ge C0. 4多层膜的磁性,给出总磁矩接近零的Mn3Ge C0. 4多层膜结构,为Mn3Ge的实际应用提供参考.

注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社