摘要：通过对热障涂层在高温静态氧化过程中TGOs层形貌的观察,研究了Al2O3层对TGOs层生长过程的作用机制。结果表明:致密的Al2O3层能有效降低TGOs层的生长速率;当Al2O3层消失后,TGOs层的生长速率由0.61μm·h-0.5迅速增大至1.29μm·h-0.5。氧化过程中,在Al2O3层与粘结层界面上生长的混合氧化物会逐渐向上"吞噬"原有的Al2O3层,并导致Al2O3层的减薄直至最终消失。Al2O3层的稳定性对TGOs的生长具有显著的影响。

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