首页 期刊 计算机与数字工程 一种新颖的低电压CMOS带隙基准源设计 【正文】

一种新颖的低电压CMOS带隙基准源设计

作者:余国义; 孙丽娟; 邹雪城; 刘三清 华中科技大学电子科学与技术系; 武汉430074; 华中科技大学电子科学与技术系; 武汉430074; 华中科技大学电子科学与技术系; 武汉430074; 华中科技大学电子科学与技术系; 武汉430074
带隙基准电压源   电源抑制比   温度系数   cmos集成电路  

摘要:设计一种新颖的低电压CMOS带隙基准电压源电路.电路采用了适合低电源电压工作的nMOS输入对管折叠共源共栅运算放大器,并提出一种新颖的启动电路.基于SMICO.35μm标准CMOS工艺,Cadence Spectre仿真结果表明:在低于1-V的电源电压下,所设计的电路能稳定工作,输出稳定的基准电压为622mV,最低电源电压为760mV.不高于100KHz的频率范围内,电源噪声抑制比为-75dB.在-20℃到100℃范围内,温度系数20ppm/℃.

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