摘要：现代存储系统一般是由多个存储芯片通过并列数据线、共享地址线的方式构成的.因此,在多片相变存储芯片并联构成的内存系统中,如果多个芯片间的磨损存在较大差异,那么该系统的寿命将会因短板效应而受到影响.模拟实验和数据分析均确认了这一问题在实际系统中的存在.在此基础上,提出了一种混合内存设计,用于延长相变内存的寿命.该方法引入了一种动态识别机制,可以在每次写入时识别遭受最多磨损的相变存储芯片,并将该芯片未来的写入转移到另一个长寿命的存储芯片中.这一措施可以减少对相变存储芯片的总写入量,并缩小相变存储芯片间的写入量差别.实验表明:使用RMB设计的内存系统的寿命最多可达无任何寿命延长方法时的7.9倍,可达使用经典方法PRES的5.14倍.

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