摘要：高压侧N沟道MOSFET驱动器LTC7003可采用高达60V的电源电压工作。其内部充电泵全面增强了外部N沟道MOSFET开关,从而使其能够无限期地保持导通。LTC7003强大的1Ω栅极驱动器能够以非常短的转换时间和35ns传播延迟非常容易地驱动大的栅极电容MOSFET,因此非常适合高频开关和静态开关应用。

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