首页 期刊 今日电子 MOSFET门极驱动电压的优化 【正文】

MOSFET门极驱动电压的优化

作者:SteveMappas TI公司
mosfet   门极驱动电压   关联导通电阻   电源   vrm  

摘要:概述 电源设计人员通过正确匹配MOSFET在驱动时的门极驱动电压,有时能够获得额外的效率提高.采用较高的电压驱动MOSFET门极将导致较低的关联导通电阻Rds(ON),直到低至某一特定值.在众多高电流隔离式电源应用中我们可以发现,这对低电压高电流VRM设计以及控制驱动的同步整流器而言是十分有益的.在同步降压电源应用中,降低MOSFET导通电阻对同步整流器而言十分关键,因为多数情况下,快速恢复式整流电流通过MOSFET通道电阻所造成的功率损耗是总功耗中最大的一部分.然而,其他一些因素也不容忽视.

注:因版权方要求,不能公开全文,如需全文,请咨询杂志社