摘要：随着MOSFET器件尺寸不断缩小,短沟道效应越来越严重。基于28 nm低功耗逻辑平台,针对PMOSFET器件短沟道效应严重的现象,借助半导体工艺及器件仿真工具TCAD,研究PMOSFET短沟道效应的产生机制。提出一种通过调整pocket离子注入工艺条件改善短沟道效应的方法。通过优化工艺条件,该方法可以在保证长沟道器件Vt不变的情况下,有效改善28 nm PMOSFET器件的短沟道效应。

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