首页 期刊 红外与激光工程 GaN基激光器的特性 【正文】

GaN基激光器的特性

作者:张立群 张书明 江德生 朱建军 赵德刚 杨辉 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室 北京100083
腔面   脊形高度   阈值电流   斜率效率  

摘要:GaN基激光器具有广泛的应用。如何获得平整腔面是蓝宝石衬底上制作GaN激光器的困难之一。通过对解理面的分析和不同衬底厚度时腔面形貌的比较,发现减薄衬底可以有效降低腔面粗糙度。当外延片厚度减薄至50μm时,获得近似镜面的腔面。激光器的测量证实了腔面的改善可以降低阈值电流,增加斜率效率。利用二维光波导模型计算了脊形高度对限制因子和远场分布的影响。计算结果说明,增加脊形高度可以增加限制因子,降低远场纵横比。通过测量具有不同脊形高度的器件,证实了脊形高度增加,阈值电流降低、远场纵横比减小。

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