首页 期刊 红外与毫米波学报 InAs/GaAsSb带间级联中波红外焦平面研究 【正文】

InAs/GaAsSb带间级联中波红外焦平面研究

作者:周易; 柴旭良; 田源; 徐志成; 黄敏; 许佳佳; 黄爱波; 白治中; 陈红雷; 丁瑞军; 陈建新; 何力 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室; 上海200083; 中国科学院大学; 北京100049
光电探测器   红外焦平面   带间级联结构   高工作温度  

摘要:针对高工作温度红外探测器的迫切需求,设计并利用分子束外延技术制备了高晶格质量的2级带间级联中波红外探测材料,带间级联单元器件在最高323 K下可以测试到清晰的响应光谱,140 K下暗电流密度达到4×10^-5A/cm^-2.并在此基础上利用干法刻蚀技术实现了320×256规模的台面型带间级联红外焦平面原型器件.焦平面测试结果表明其在80-120K范围内量子效率达到30%,127 K下噪声等效温差为55.1 mK,盲元率为2.3%.采用该焦平面器件在127 K下获得了较为清晰的演示性室温目标红外热成像.

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