红外与毫米波学报

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Journal of Infrared and Millimeter Waves

杂志简介:《红外与毫米波学报》杂志经新闻出版总署批准,自1982年创刊,国内刊号为31-1577/TN,是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊,致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:研究论文、研究简报

主管单位:中国科学院
主办单位:中国科学院上海技术物理研究所;中国光学学会
国际刊号:1001-9014
国内刊号:31-1577/TN
全年订价:¥ 408.00
创刊时间:1982
所属类别:电子类
发行周期:双月刊
发行地区:上海
出版语言:中文
预计审稿时间:1-3个月
综合影响因子:0.75
复合影响因子:0.61
总发文量:1383
总被引量:10553
H指数:36
引用半衰期:5.2727
立即指数:0.0568
期刊他引率:0.9242
平均引文率:13.1818
  • 基于量子阱带间跃迁的红外探测器原型器件

    作者:刘洁; 王禄; 江洋; 马紫光; 王文奇; 孙令; 贾海强; 王文新; 陈弘 刊期:2017年第02期

    近期,实验发现PN结中局域载流子具有极高提取效率,并导致吸收系数的大幅度增加.文中报道基于上述现象的新型量子阱带间跃迁红外探测器原型器件的性能.利用含有InGaAs/GaAs多量子阱的PIN二极管,在无表面减反射膜的实验条件下,利用仅100 nm的有效吸收厚度,实现了31%的外量子效率.基于该数值推算得到,量子阱的光吸收系数达3.7×10~4cm~(-1),该数值...

  • GaSb衬底上分子束外延生长的低温GaSb薄膜的低缺陷表面

    作者:郝瑞亭; 任洋; 刘思佳; 郭杰; 王国伟; 徐应强; 牛智川 刊期:2017年第02期

    系统地研究了随着GaSb薄膜生长温度的降低,Sb/Ga(V/III)比的变化对薄膜低缺陷表面质量的影响.为了获得良好表面形貌的GaSb外延层,生长温度与V/III比均需要同时降低.当Sb源裂解温度为900℃时,生长得到低缺陷表面的低温GaS b薄膜的最佳生长条件是生长温度为在再构温度的基础上加60℃且V/III比为7.1.

  • 简易化学水浴法制备SnO2/p-Si异质结光电性能

    作者:何波; 徐静; 宁欢颇; 赵磊; 邢怀中; 张建成; 秦玉明; 张磊 刊期:2017年第02期

    通过一种简易化学水浴法将SnO_2薄膜沉积在晶硅衬底上以制备n-SnO_2/p-Si异质结光电器件,这种自制的化学水浴装置非常便宜和方便.采用XRD、SEM、XPS、PL、紫外-可见光分光光度计和霍尔效应测试系统表征了SnO_2薄膜的微结构、光学和电学性能,对SnO_2/p-Si异质结的I-V曲线进行测试并分析,获得明显的光电转换特性.

  • 不同离子比的锰钴镍薄膜材料结构和电学性能

    作者:张飞; 吴敬; 欧阳程; 周炜; 高艳卿; 黄志明 刊期:2017年第02期

    采用磁控溅射法分别制备了不同组分的Mn-Co-Ni-O(MCNO)薄膜材料.通过对材料结构分析,发现在Mn离子数目不变的情况下,随着Co离子的增加,晶粒尺寸逐渐增大,且晶格常数先增大后减小;在Co离子数目不变的情况下,随着Mn离子的增加,薄膜的择优生长晶面由(311)不晶面向(400)晶面转变.对电学性能测试进行分析,可知薄膜材料既有Mn离子的导电机制,也...

  • 中红外硅微透镜阵列的离焦效应

    作者:左海杰; 杨文; 张江勇; 应磊莹; 张保平; 侯治锦; 陈洪许; 司俊杰 刊期:2017年第02期

    采用严格数值算法对中红外硅微透镜阵列进行了模拟,该微透镜阵列特征尺寸小于波长工作波长.研究发现该微透镜阵列存在一个显著的离焦效应,其离焦量达到0.4左右,超出了现有的传统理论模型预测范围.对微透镜阵列进行了制作和焦距测试,发现测试结果跟数值模拟基本吻合.微纳衍射光学集成系统中透镜离焦量是系统集成非常重要的一个参数,该研究结果为...

  • 一种改进的対拓Vivaldi天线设计

    作者:刘宇; 夏鑫淋; 杨涛 刊期:2017年第02期

    提出了一种新颖的対拓Vivaldi天线.该天线的辐射耀斑用新的复合指数曲线修正.为改善天线的辐射特性(增益,波束偏离和交叉极化),采用了一个新的引向器,该引向器由两个混合椭圆金属贴片构成.测试结果表明该天线在1~40 GHz频率范围内增益〉0 dBi,并且在15~40 GHz频段内天线的增益〉12 dBi.在3~40 GHz频率范围内,E面的波束偏离小于3°,并且在15~40 ...

  • 微腔效应对于1.3μm量子点光子晶体纳腔激光器调制响应的影响

    作者:邢恩博; 戎佳敏; 佟存柱; 田思聪; 汪丽杰; 舒适立; 王立军 刊期:2017年第02期

    微腔效应可以提高自发辐射速率,从而起到有效的改善响应调制速率的作用.然而,对于1.3μm GaAs/InAs量子点光子晶体激光器而言,调制速率还会受到复杂的载流子动力学以及更近的空穴能级间隔的影响.因此基于全路径载流子弛豫动力学方程,计算并讨论了腔品质因子(Q)对于阈值和响应调制特性的影响.计算结果表明,高的Q值能够明显改善量子点光子晶体激...

  • 面向100 GHz+数模混合电路的0.5 μm InP DHBT工艺

    作者:程伟; 张有涛; 王元; 牛斌; 陆海燕; 常龙; 谢俊领 刊期:2017年第02期

    报道了一种高性能的3英寸磷化铟双异质结双极型晶体管工艺.发射极尺寸为0.5μm×5μm的磷化铟双异质结双极型晶体管,电流增益截止频率以及最高振荡频率分别达到350 GHz以及532 GHz,击穿电压4.8 V.基于该工艺研制了114 GHz静态分频器以及170 GHz动态分频器两款工艺验证电路,这两款电路的工作频率均处于国内领先水平.

  • 高光谱遥感图像非线性解混研究综述

    作者:杨斌; 王斌 刊期:2017年第02期

    介绍了近年来非线性光谱解混方法的发展状况,主要包括矿物沙地地区的紧密混合模型和植被覆盖区域的多层次混合模型,以及基于这些模型的非线性解混算法和利用核函数、流形学习等方法的数据驱动非线性光谱解混算法及非线性探测算法.最后分析总结了现有非线性解混模型与算法的优势与缺陷及未来的研究趋势.

  • 替代衬底上的碲镉汞长波器件暗电流机理

    作者:赵真典; 陈路; 傅祥良; 王伟强; 沈川; 张彬; 卜顺栋; 王高; 杨凤; 何力 刊期:2017年第02期

    基于暗电流模型,通过变温I-V分析长波器件(截止波长为9~10μm)的暗电流机理和主导机制.实验对比了不同衬底、不同成结方式、不同掺杂异质结构与暗电流成分的相关性.结果表明,对于B+离子注入的平面结汞空位n~+-on-p结构,替代衬底上的碲镉汞(HgCdTe)器件零偏阻抗(R0)在80 K以上与碲锌镉(CdZnTe)基碲镉汞器件结阻抗性能相当.但替代衬底上...

  • 一种可吸收垂直入射光的管状量子阱红外探测器

    作者:王晗; 李世龙; 甄红楼; 李梦瑶; 聂晓飞; 黄高山; 梅永丰; 陆卫 刊期:2017年第02期

    基于传统的光刻和化学湿法腐蚀工艺,通过卷曲技术,提出一种三维管状量子阱红外探测器.该管状器件相比于未卷曲的平面器件,在垂直入射光照下,展现了优良的暗电流、黑体响应和光电流响应率特性曲线.当工作温度60 K、偏置电压0.45 V时,管状器件峰值响应率为20.6 mA/W,峰值波长3.62μm,最大量子效率2.3%.从几何光学的角度分析了管状器件的垂直光吸收...

  • 基于高速单光子探测的光时域反射测量

    作者:倪文进; 陈杰; 梁焰; 曾和平 刊期:2017年第02期

    针对传统光时域反射仪(OTDR)激光出射功率高、累计时间长、测量分辨率低的问题,提出了将高速InGaAs/InP雪崩光电二极管单光子探测器应用于光时域反射测量的方法.单光子探测器的工作重复频率为1 GHz,可实现“准连续”探测,无需扫频即可快速捕获单光子水平的回返光信号并输出.该方法实现了出射光脉冲宽度为50 ps、峰值功率为10 mW,测量距离为50 ...

  • 电子束蒸发方法研究Mg2Si的薄膜及其光学带隙

    作者:肖清泉; 房迪; 赵珂杰; 廖杨芳; 陈茜; 谢泉 刊期:2017年第02期

    Mg_2Si材料作为一种新型环境友好半导体材料,其薄膜制备方法及其光学性质的研究对其应用研发起到基础性作用.采用电子束蒸发方法在Si(111)衬底上沉积Mg膜,在氩气环境下进行热处理以制备Mg_2Si半导体薄膜.采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、分光光度计对制备的Mg_2Si薄膜进行表征.在氩气环境、温度500℃、压强200 Pa下,研究热处理时间...

  • 面阵探测器相连缺陷元识别定位

    作者:侯治锦; 傅莉; 司俊杰; 王巍; 吕衍秋; 鲁正雄; 王锦春 刊期:2017年第02期

    面阵探测器相连缺陷元的光电信号与正常元基本相同,因此采用现有面阵测试方法无法识别相连缺陷元.针对相连缺陷元的特点,提出了借助改变面阵探测器光电响应的方法来实现相连缺陷元的识别定位.实验结果表明,该方法使面阵探测器分为两个不同透过率探测单元,多元相连缺陷元响应电压是相对应的两个不同透过率探测单元响应电压之和的平均值.采用MATLA...

  • 基于肖特基变容二极管和改进型CSMRs滤波器单级340 GHz四倍频器

    作者:蒋均; 刘杰; 石向阳; 陆彬; 邓贤进; 郝海龙; 张健 刊期:2017年第02期

    在四倍频器设计中首先对二极管进行I-V曲线、C-V曲线、等离子振荡和趋肤效应等进行计算,完成肖特基二极管电路建模;通过谐波和三维电磁仿真工具优化电路中各次谐波最佳阻抗值;通过引入改进紧凑型悬置微带线震荡器(Compact Suspended Microstrip Resonators(CSMRs))滤波器,成功将二次和三次谐波短路,同时减小长宽比,满足装配条件。实验表明,...