首页 期刊 红外与毫米波学报 Nd掺杂对BiFeO_3薄膜微结构和电学性能的影响 【正文】

Nd掺杂对BiFeO_3薄膜微结构和电学性能的影响

作者:高成 杨静 孟祥建 白伟 林铁 孙璟兰 褚君浩 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 上海200083 华东师范大学极化材料与器件教育部重点实验室 上海200241
铁电薄膜   介电性能   nd掺杂   漏电流  

摘要:采用化学溶液方法,在LaNiO3/Si(100)衬底上生长了Nd掺杂的BiFeO3薄膜.XRD分析结果表明,随着Nd掺杂量的增加,薄膜晶格变小,Nd掺杂量为20%时,薄膜出现杂相.介电测试表明,随着Nd掺杂量的增加,介电常数和损耗减小,Nd掺杂量为2%的薄膜表现出很强的介电色散现象并出现介电损耗弛豫峰,其符合类德拜模型特征.随着Nd掺杂量增加,薄膜的漏电流减小,在低电场下,电流输运遵从SCLC模型,在高场下,电流输运遵循Poole-Frenkel模型.分析结果表明Nd掺杂对薄膜微结构和电学性能有显著影响.

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