摘要：采用有限元法自洽求解泊松一薛定谔方程，数值模拟了一种新型的亚50nmN沟道双栅MOS场效应晶体管的电学特性，系统阐述了尺寸参数对短沟道效应的影响规律．比较了不同尺寸参数下的亚阈值摆幅、阈值电压下跌和DIBL效应以及沟道跨道，获得了最佳硅鳍宽度（Tfin）和栅极长度（Lg）参数．模拟结果与实验数据的经典数值模拟进行了比较，表明由于电子束缚效应对器件性能的影响，考虑量子效应对FinFET器件的性能优化尤其重要。

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