首页 期刊 航空计算技术 一种低电压高精度CMOS带隙基准设计 【正文】

一种低电压高精度CMOS带隙基准设计

作者:李攀; 田泽; 强新建; 王进军 西北大学信息学院; 陕西西安710069; 西安石油大学计算机学院; 陕西西安710065
cmos   带隙基准   曲率补偿  

摘要:设计了一种标准CMOS工艺下的低电压带隙基准电路,该电路使用了温度的二阶曲率补偿技术,使输出电压达到了较低的温度系数。HSPICE的仿真结果表明,该电路在-20℃~120℃的温度范围内,输出电压变化为500uV,在1.0V~1.8V的电源电压范围内,输出电压为284.6±0.3mV,电压抑制比约为60dB,最低工作电压接近于1V,在1.3V的电源电压时,总共耗为5uW,适合于低电压低功耗领域的应用。

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