【免费】硅光电池与电荷耦合器件测量光强性能比较-发表之家

硅光电池与电荷耦合器件测量光强性能比较

作者：魏芳波; 王安福; 朱喜仲; 胡成香郧阳师范高等专科学校; 物理与电子工程系; 湖北; 丹江口; 442700; 郧阳师范高等专科学校; 物理与电子工程系; 湖北; 丹江口; 442700; 汉江集团; 碳化硅公司; 湖北; 丹江口; 442700; 汉江集团; 碳化硅公司; 湖北; 丹江口; 442700

硅光电池 ccd 光电探测器图像采集

摘要：硅光电池与电荷耦合器件(CCD)均可作为光电探测器,但在测量光强时由于结构和制造过程的不同具有各自优势.从结构和基础差异的角度,结合测量激光参数,对二者的探测性能进行了比较.

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