摘要：基于新型互补金属氧化物半导体有源像素传感器（Complementary Metal Oxide Semiconductor Active Pixel Sensor,CMOSAPS）光电器件的内部结构特点，分析了重离子对CMOSAPS光电器件的影响，以及CMOSAPS光电器件的单粒子效应敏感性。结合CMOSAPS光电器件的结构特点和辐射影响分析，形成了基于监测数据逻辑状态和图像“白点”相结合的测试方法。在此基础上，利用重离子加速器进行了单粒子效应模拟试验。试验结果表明：当重离子线性能量传输（Linear Energy Transition，LET）低于9．01 MeV·cm^2·mg^-1时，像素阵列没有出现扰动现象，仅是电荷在像素阵列的不断累积。同时，试验获得单粒子翻转（Single Event Upset，SEU）饱和截面对应的LET值约为42．0 MeV·cm^2·mg^-1。

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