摘要：新建的一台反宇宙射线低本底HPGeγ谱仪，在物质屏蔽的基础上采用反符合和热中子屏蔽联合方法，实验研究次级宇宙射线μ子和中子产生的本底。结果表明，反符合屏蔽（塑料闪烁探测器）能大幅度降低μ子产生的本底，还能有效抑制快中子与锗晶体和屏蔽材料非弹性散射引起的本底，100—2000keV能区反符合积分本底抑制系数可达8倍。热中子屏蔽（镉吸收片）的加入可明显降低锗晶体和屏蔽材料热中子俘获产生的本底，使511keV正电子湮灭峰本底的抑制系数由5．8倍提高到20．7倍，100—2000keV反符合积分本底抑制系提高到13．2倍。

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