摘要：介绍了金硅面垒8Be探测器的制造工艺和测试结果.有效面积157～570mm2,厚度为280μm,工作电压100～150V时,其漏电流0.04～0.12μA.对于8.78MeV α粒子的能量分辨率为0.54%～0.80%,用该探测器通过对8Be带电粒子的角关联测量确定高激发能级的宇称及自旋.

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