首页 期刊 合成化学 三联吡啶修饰的新型苯并二噻吩电子给-受体分子的合成及性能研究 【正文】

三联吡啶修饰的新型苯并二噻吩电子给-受体分子的合成及性能研究

作者:李凡超 柳林 乔洪冰 戚顺新 陈炳刚 陈学刚 青岛科技大学高分子科学与工程学院橡塑材料与工程教育部重点实验室 山东青岛266042
2   苯并二噻吩   合成   性能  

摘要:以4,8-二酮苯并[1,2-b∶4,5-b']二噻吩为原料,合成了两种新型的2,2'∶6',2″-三联吡啶修饰的苯并二噻吩电子给-受体结构分子(M1和M2),其结构经^1H NMR,^(13)C NMR,IR和元素分析表征。用UV-Vis,FL,TGA和CV研究了M1和M2的性能。结果表明:M1和M2均具有良好的热稳定性,热分解温度(T_5)分别为335℃和430℃。由于电子给-受体结构的存在,M1和M2均表现出明显的分子内电荷转移跃迁(ICT),其最大吸收峰分别为446 nm和468 nm,荧光发射峰分别为517 nm和552 nm;起始还原电位分别为-0.57 e V和-0.62 e V,起始氧化电位分别为0.69 e V和0.87 e V。

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