摘要：MSM（金属-半导体-金属）型光电探测器的较低寄生电容和高带宽的特点使得其应用广泛，可用于空间通信、遥感等多方面，但暗电流偏大仍是制约其发展的重要因素．为此，本文研制了100×100μm。面积的InGaAs-MSM光电探测器，通过设计InAlGaAs／InGaAs短周期超晶格和InAlAs肖特基势垒增强结构，将器件暗电流密度降至0．6pA／μm。（5V偏置），改善了目前同类器件的信噪比．对器件光电参数进行了表征：3dB带宽6．8GHz，上升沿58．8ps，1550nm波段响应度0．55A／W，光吸收区域外量子效率88％．分析了短周期超晶格和肖特基势垒增强层对暗电流的抑制机理．

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